'Lộ diện' 3 nhà khoa học đoạt Giải thưởng Tạ Quang Bửu năm 2020

Các công trình khoa học về Toán học, Y dược, Vật lý đã tiếp cận các hướng nghiên cứu mới trên thế giới

Theo Bộ KH&CN, Hội đồng Giải thưởng đã họp xem xét, đánh giá, lựa chọn các nhà khoa học được các Hội đồng khoa học chuyên ngành trong lĩnh vực Khoa học tự nhiên và kỹ thuật của Quỹ Phát triển khoa học và công nghệ Quốc gia đề xuất. Các công trình đều là kết quả nghiên cứu khoa học nổi bật trong các chuyên ngành, được thực hiện tại Việt Nam, công bố trên các tạp chí quốc tế xuất sắc, tiếp cận các hướng nghiên cứu mới trên thế giới.

Hội đồng đã chọn ba nhà khoa học, đề nghị Bộ trưởng Bộ Khoa học và Công nghệ trao Giải thưởng Tạ Quang Bửu năm 2020:

1. PGS, TS. Vương Thị Ngọc Lan, Đại học Y Dược TP. Hồ Chí Minh (Ngành Khoa học Y Dược)

Là tác giả của công trình: Lan N. Vuong, Vinh Q. Dang, Tuong M. Ho, Bao G. Huynh, Duc T. Ha, Toan D. Pham, Linh K. Nguyen, Robert J. Norman and Ben W. Mol, 2018. IVF transfer of Fresh or Frozen embryos in women without Polycystic Ovaries. The New England Journal of Medicine, 378(2): 137-147.

2. PGS,TS. Phạm Tiến Sơn, Trường Đại học Đà Lạt (Ngành Toán học)

Là tác giả của công trình: Gue Myung Lee and Tien Son Pham, 2017. Generic properties for semialgebraic programs. SIAM Journal on Optimization, Vol. 27, No. 3, 2061-2084.

3. TS. Nguyễn Trương Thanh Hiếu, Trường Đại học Tôn Đức Thắng (Ngành Vật lý)

Là tác giả của công trình: Nguyen Truong Thanh Hieu, 2016. Low-energy electron inelastic mean free path in materials. Applied Physics Letters, Vol. 108, 172901.

Thông tin về các nhà khoa học và công trình:

PGS.TS Vương Thị Ngọc Lan - Đại học Y Dược TP. Hồ Chí Minh

Hướng nghiên cứu chính:

Y học sinh sản:

- Thụ tinh trong ống nghiệm: chuyển phôi tươi so với chuyển phôi trữ lạnh

- Kỹ thuật trưởng thành trứng non trong ống nghiệm.

Sản phụ khoa

- Dự phòng sinh non

- Thai kỳ nguy cơ cao: đái tháo đường thai kỳ, tiền sản giật

Công trình: Lan N. Vuong, Vinh Q. Dang, Tuong M. Ho, Bao G. Huynh, Duc T. Ha, Toan D. Pham, Linh K. Nguyen, Robert J. Norman and Ben W. Mol, 2018. IVF transfer of Fresh or Frozen embryos in women without Polycystic Ovaries. The New England Journal of Medicine, 378(2): 137-147.

PGS.TS Vương Thị Ngọc Lan - Đại học Y Dược TP. Hồ Chí Minh

Ý nghĩa khoa học:

Trong các trường hợp phụ nữ thực hiện kỹ thuật thụ tinh trong ống nghiệm (IVF), chuyển phôi đông lạnh được xem là cho kết quả có thai sinh sống cao hơn so với chuyển phôi tươi ở các trường hợp vô sinh bị hội chứng buồng trứng đa nang. Chúng ta chưa biết được liệu chuyển phôi đông lạnh có thể cho kết quả tương tự ở phụ nữ vô sinh không bị hội chứng đa nang.

PHƯƠNG PHÁP: phân ngẫu nhiên 783 phụ nữ vô sinh không bị hội chứng buồng trứng đa nang, những người đang được điều trị với chu kỳ IVF đầu tiên hoặc lần thứ hai, để được chuyển phôi đông lạnh hoặc chuyển phôi tươi vào ngày thứ 3 sau IVF. Ở nhóm chuyển phôi đông lạnh, tất cả phôi độ 1 và 2 đều được đông lạnh, sau đó tối đa 2 phôi sẽ được chọn rã đông và chuyển vào tử cung ở tháng tiếp theo. Ở nhóm chuyển phôi tươi, tối đa 2 phôi tươi sẽ được chọn để chuyển vào tử cung ngay trong chu kỳ kích thích buồng trứng. Kết quả chính là tỉ lệ có thai diễn tiến sau lần chuyển phôi đầu tiên.

KẾT QUẢ: Sau khi kết thúc chu kỳ điều trị đầu tiên, thai diễn tiến có được 142 trường hợp trên 391 phụ nữ (36,3%) ở nhóm chuyển phôi đông lạnh, và có được 135 trường hợp trên 391 phụ nữ (34,5%) ở nhóm chuyển phôi tươi (tỉ số nguy cơ trong nhóm chuyển phôi đông lạnh là 1.05; 95% khoảng tin cậy[CI], 0,87 to 1,27; P=0,65). Tỉ lệ thai sinh sống sau lần chuyển phôi đầu tiên tuần tự là 33,8% và 31,5% (tỉ số nguy cơ, 1,07; 95% CI, 0,88 to 1,31).

KẾT LUẬN: Đối với phụ nữ vô sinh không có hội chứng buồng trứng đa nang, khi thực hiện IVF, chuyển phôi đông lạnh không làm tăng có ý nghĩa tỉ lệ thai diễn tiến hay tỉ lệ sinh sống so với chuyển phôi tươi. (Tài trợ bởi Bệnh viện Mỹ Đức; Số đăng ký ClinicalTrial.gov NCT02471573.)

PGS.TS Phạm Tiến Sơn - Trường Đại học Đà Lạt

Lĩnh vực: Toán học

Hướng nghiên cứu chính:

Lý thuyết kỳ dị (địa phương và tại vô hạn);

Hình học nửa đại số và ứng dụng

Công trình: Gue Myung Lee and Tien Son Pham, 2017. Generic properties for semialgebraic programs. SIAM Journal on Optimization, Vol. 27, No. 3, 2061–2084.

PGS.TS Phạm Tiến Sơn - Trường Đại học Đà Lạt

Ý nghĩa khoa học:

Công trình này nhằm nghiên cứu một vấn đề cơ bản của toán học và ứng dụng của nó. Đó là bài toán tối ưu nửa đại số: tìm giá trị nhỏ nhất của một hàm đa thức trên một tập nửa đại số (là tập được xác định bởi các phương trình và bất phương trình đa thức). Câu hỏi chính đặt ra là xây dựng một thuật toán hiệu quả xác định giá trị (và/hoặc nghiệm) tối ưu của bài toán. Dựa trên các công cụ của Hình học nửa đại số, công trình chỉ ra tính tổng quát của các bài toán tối ưu nửa đại số. Hai đóng góp chính:

Về mặt lý thuyết: Chứng minh với hầu hết các bài toán tối ưu nửa đại số, ta có: (i) hạn chế của hàm mục tiêu trên tập ràng buộc là hàm Morse và coercive; (ii) tồn tại duy nhất nghiệm tối ưu thỏa mãn các điều kiện đủ bậc hai, bù chặt, cấp tăng bậc hai và cận lỗi Hölder toàn cục. (iii) với mọi nhiễu tuyến tính (đủ nhỏ) hàm mục tiêu, nghiệm tối ưu (duy nhất) và giá trị tối ưu của bài toán nhiễu phụ thuộc giải tích vào tham số. Dãy nghiệm tối ưu của bài toán nhiễu hội tụ đến nghiệm tối ưu của bài toán ban đầu.

Về mặt áp dụng: Dựa vào các kết quả nêu trên, chứng tỏ nghiệm tối ưu của hầu hết các bài toán tối ưu đa thức hoàn toàn được xác định bằng cách giải một số hữu hạn các bài toán quy hoạch nửa xác định (là những bài toán quy hoạch lồi có thể giải một cách hiệu quả bằng thuật toán điểm trong); dãy bài toán sau được xây dựng một cách tường minh. Bài báo này nghiên cứu tính tổng quát của lớp các bài toán tối ưu nửa đại số với các ràng buộc đẳng thức và bất đẳng thức, trong đó mỗi bài toán trong lớp có hàm mục tiêu là nhiễu tuyến tính của một hàm trong khi các hàm ràng buộc cố định và thỏa mãn điều kiện ràng buộc độc lập tuyến tính. Nhóm tác giả chứng minh rằng hầu hết các bài toán trong lớp có các tính chất sau: (i) Hạn chế của hàm mục tiêu trên tập ràng buộc có tính bức và tính chính quy tại vô hạn; (ii) Bài toán có duy nhất nghiệm; nghiệm này thuộc một đa tạp tích cực duy nhất mà tại đó điều kiện bù chặt, các điều kiện đủ bậc hai, điều kiện tăng trưởng bậc hai và cận lỗi Hölder toàn cục đúng; (iii) Mọi dãy cực tiểu đều hội tụ;

Hơn nữa, đa tạp tích cực là hằng và nghiệm tối ưu cũng như hàm giá trị tối ưu phụ thuộc giải tích vào tham số nhiễu. Các kết quả trên cùng với một kết quả chuẩn về sự tồn tại các tiêu chuẩn tổng các bình phương chỉ ra rằng chúng ta có thể xây dựng một dãy các bài toán quy hoạch nửa xác định sao cho dãy nghiệm của các bài toán này sinh ra một dãy các điểm hội đến nghiệm bài toán ban đầu sau hữu hạn bước. Cần nhấn mạnh rằng các kết quả trong bài báo này đúng một cách toàn cục và chúng tôi không giả sử bài toán là lồi hay tập ràng buộc là compact.

TS. Nguyễn Trương Thanh Hiếu - Trường Đại học Tôn Đức Thắng

Lĩnh vực: Vật lý

Hướng nghiên cứu chính:

Tán xạ điện tử trong vật chất.

Tính chất quang học và điện môi của vật liệu.

Công trình: Nguyen Truong Thanh Hieu, 2016. Low-energy electron inelastic mean free path in materials. Applied Physics Letters, Vol. 108, 172901.

TS. Nguyễn Trương Thanh Hiếu - Trường Đại học Tôn Đức Thắng

Ý nghĩa khoa học

Quãng đường tự do trung bình không đàn hồi của điện tử (electron inelastic mean free path) là một đại lượng quan trọng đối với những phương pháp phân tích bề mặt vật liệu [1, 2] cũng như những mô hình vận chuyển điện tử qua vật chất. Đại lượng này có thể được xác định bằng các kỹ thuật thực nghiệm hoặc các mô hình lý thuyết dựa trên dữ liệu quang học. Tuy nhiên, kết quả thu được đối với điện tử năng lượng thấp (dưới 100 eV) có độ bất định lớn và không đáng tin cậy [3].

Trong nghiên cứu “Low-energy electron inelastic mean free path in materials” (Applied Physics Letters, 2016) tác giả đề xuất một phương pháp tổng quát nhằm xác định chính xác quãng đường tự do trung bình không đàn hồi của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu. Tính tổng quát của phương pháp đã được chứng minh cho 10 loại chất rắn khác nhau [4]. Bài báo hiện có 12 trích dẫn, trong đó có những trích dẫn từ những nghiên cứu độc lập trên các tạp chí uy tín như Nature Communications [5], Physical Review B [6], Carbon [7], The Journal of Physical Chemistry C [8], Physical Review E [9], Nanotechnology [10], và Ultramicroscopy [11].

Tác giả cũng đã được mời báo cáo về chủ đề “Low-energy electron inelastic mean free path” tại hội nghị quốc tế 8th International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA-19, Nhật Bản, 11/2019). PSA được tổ chức định kì 3 năm một lần bởi Hội phân tích bề mặt Nhật Bản (Surface Analysis Society Japan) và Hội chân không Hàn Quốc (Korean Vacuum Society). Tác giả đã được Quỹ NAFOSTED tài trợ tham dự hội nghị này (Quyết định của Quỹ, thư mời và giấy chứng nhận của Ban Tổ chức được gởi kèm theo hồ sơ).

Nhóm tác giả cho thấy rằng hướng tiếp cận điện môi có thể xác định quãng đường tự do không đàn hồi của điện tử trong vật liệu với độ chính xác tương đương với các tính toán từ những nguyên lý đầu trong phép xấp xỉ GW của lý thuyết hệ nhiều hạt. Hướng tiếp cận hiện tại là một lựa chọn khác cho việc tính toán thời gian sống của điện tử nóng, vốn là một đại lượng quan trọng trong động học điện tử siêu nhanh. Hướng tiếp cận này, ở đây được ứng dụng cho đồng với năng lượng điện tử dưới 100 eV, cho kết quả phù hợp với dữ liệu thực nghiệm từ các đo đạc bức xạ quang hai photon phân giải thời gian, phổ quang điện tử phân giải góc, và cấu trúc tinh tế hấp thụ tia X trong các dải năng lượng tương ứng 2-3.5, 10-15, và 60-100 eV.