Samsung ra mắt chip nhớ di động DRAM có tốc độ nhanh nhất thế giới
Samsung vừa công bố mẫu chip nhớ di động DRAM mới có tốc độ nhanh nhất thế giới, lên tới 10,7 Gbps. Đây là một bước đột phá đáng kể trong lĩnh vực công nghệ bộ nhớ, giúp tăng hiệu suất và tiết kiệm năng lượng cho các thiết bị di động.
Năm 2021, Samsung đã ra mắt phiên bản RAM LPDDR5X có tốc độ 8,5 Gbps, tạo nên tiêu chuẩn mới trong ngành công nghệ. Tuy nhiên, chỉ sau ba năm, hãng đã nâng cấp dòng sản phẩm này với tốc độ đạt tới 10,7 Gbps, vượt qua LPDDR5T của SK Hynix, vốn có tốc độ 9,6 Gbps được giới thiệu vào năm ngoái.
DRAM LPDDR5X mới với tốc độ nhanh hơn, khả năng đa nhiệm của thiết bị trở nên mượt mà hơn, thời gian tải ứng dụng được rút ngắn và độ phản hồi được nâng cao. Theo Samsung, hiệu suất của phiên bản mới này tăng 25% so với thế hệ trước, đánh dấu một bước tiến quan trọng trong công nghệ chip nhớ di động.
Chip nhớ DRAM LPDDR5X được sản xuất trên quy trình 12 nm, cho phép Samsung tạo ra sản phẩm có kích thước nhỏ hơn, đồng thời tăng dung lượng lên tới 30%. Hiện tại, hãng đang sản xuất DRAM mới với dung lượng lên tới 32 GB, mở ra cơ hội cho các ứng dụng AI lớn và phức tạp hoạt động trực tiếp trên các thiết bị di động.
Không chỉ cải thiện hiệu suất, DRAM LPDDR5X còn giúp giảm tiêu thụ điện năng. Với khả năng giảm 25% mức tiêu thụ điện, sản phẩm này được coi là giải pháp lý tưởng cho các thiết bị di động, đặc biệt là những thiết bị sử dụng pin. DRAM này còn có thể chuyển sang chế độ tiết kiệm năng lượng trong thời gian dài, giúp kéo dài tuổi thọ pin của các thiết bị.
Samsung dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt loại DRAM LPDDR5X tốc độ 10,7 Gbps vào nửa cuối năm 2024. Hãng cũng cho biết đang nghiên cứu thế hệ LPDDR6.