IPhone 15 sẽ ra đời với công nghệ 'sang chảnh' cỡ nào?

Theo lộ trình của TSMC, công nghệ 5nm sẽ được nâng cấp vào năm sau còn 3nm sẽ phải đợi tới năm 2022. Nhưng không chỉ dừng lại ở đó, phía TSMC cho biết, họ có kế hoạch bắt đầu sản xuất phiên bản nâng cao 3nm Plus vào năm 2023.

Được biết tất cả những con chip Apple A14, Samsung Exynos 1080, Kirin 9000, Snapdragon 888,... đều sử dụng công nghệ 5nm một là của TSMC và còn lại là của Samsung.

Nếu không có gì thay đổi từ phía Apple, thì bộ xử lý A17 vào năm 2023 sẽ được sử dụng trên iPhone 15 và cả trên máy tính Mac với bộ vi xử lý M-series, khai tử hoàn toàn máy Mac chạy chip Intel.

Giám đốc điều hành TSMC, Wei Zhejia tiết lộ rằng quy trình 5nm, quy trình 3nm sẽ tăng mật độ bóng bán dẫn lên 70% và tốc độ của tăng lên 10%. Hiệu năng cũng sẽ được cải thiện từ 25% đến 30%.

Tuy nhiên những thông số cụ thể của 3nm Plus vẫn chưa rõ ràng.

Mặt khác, quy trình 3nm của TSMC vẫn sử dụng kiến trúc Fin-type Field-effect Transistor (FinFET) vốn được sử dụng phổ biến trong các quy trình 3nm và 5nm hiện nay.

Trong khi 3nm của Samsung sử dụng quy trình cổng vòm (GAA) tiên tiến hơn.

TSMC cho rằng quy trình FinFET hiện tại tốt hơn về chi phí và hiệu quả năng lượng. Như vậy, bộ chip 3nm đầu tiên vẫn sẽ sử dụng công nghệ bóng bán dẫn FinFET.

Tuy vậy, Samsung cũng có cơ hội bứt lên nhờ quy trình tiên tiến hơn, giải quyết các hạn chế vật lý hiện tại do quy trình FinFET gây ra.

Apple có xu hướng sử dụng quy trình ổn định mới nhất mà TSMC phát triển và hoàn thiện trong các thiết kế chip của mình.

Trong tháng 4 năm nay, TSMC đã tiết lộ một số chi tiết về tiến trình 3nm sắp tới. Mật độ bóng bán dẫn đạt tới một kỷ lục mới, 250 triệu/mm².

Kirin 990 5G với quy trình 7nm EUV của TSMC có kích thước 113,31mm², mật độ bóng bán dẫn là 10,3 tỷ, trung bình là 90 triệu / mm². Như vậy, mật độ bóng bán dẫn trên quy trình 3nm gấp 3,6 lần so với quy trình 7nm.

Thùy Dung